SUP33N20-60P-E3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSUP33N20-60P-E3
-
ПроизводительVishay Intertechnology
-
ОписаниеVishay Intertechnology SUP33N20-60P-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 33 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.06 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220AB Fall Time: 9 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.12 W Rise Time: 170 ns Factory Pack Quantity: 500 Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024